Transistor Efek Medan (FET, Field Effect Transistor)

Transistor efek medan (field-effect transistor = FET) mempunyai fungsi yang hampir sama dengan transistor bipolar. Meskipun demikian antara FET dan transistor bipolar terdapat beberapa perbedaan yang mendasar. Perbedaan utama antara kedua jenis transistor tersebut adalah bahwa dalam transistor bipolar arus output (IC) dikendalikan oleh arus input (IB). Sedangkan dalam FET arus output (ID) dikendalikan oleh tegangan input (VGS), karena arus input adalah nol. Sehingga resistansi input FET sangat besar, dalam orde puluhan megaohm.


Disamping itu, FET lebih stabil terhadap temperatur dan konstruksinya lebih kecil serta pembuatannya lebih mudah dari transistor bipolar, sehingga amat bermanfaat untuk pembuatan keping rangkaian terpadu. FET bekerja atas aliran pembawa mayoritas saja, sehingga FET cenderung membangkitkan noise (desah) lebih kecil dari pada transistor bipolar.

Namun umumnya transistor bipolar lebih peka terhadap input atau dengan kata lain penguatannya lebih besar. Disamping itu transistor bipolar mempunyai linieritas yang lebih baik dan respon frekuensi yang lebih lebar.

Keluarga Transistor efek medan (field-effect transistor = FET) yang penting untuk diketaui adalah :
JFET (junction field-effect transistor)
MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor).

Transistor efek medan (FET) jenis JFET dibagi dalam 2 tipe, yaitu JFET kanal-P dan JFET kanal-N.

Transistor efek medan (FET) tipe MOSFET dibagi dalam 2 jenis yaitu :
MOSFET tipe pengosongan (D-MOSFET = Depletion-mode metal-oxide semiconductor FET)
MOSFET tipe peningkatan (E-MOSFET = Enhancement-mode metal-oxide semiconductor FET).

Masing-masing tipe transistor efek medan (FET) jenis D-MOSFET dan E-MOSFET ini masih terbagi juga dalam kanal-P dan kanal-N.

Teknik Elektronika dan Radio Komunikasi

Iklan feed

Populer

Cara Mengukur Trafo dengan Multitester Analog / Digital

Rangkaian Lampu TL Tanpa Trafo Ballast

Apa Itu Ballast Lampu, Fungsi dan Tipenya