Karakteristik Junction Field-Effect Transistor (JFET)

Konsep dasar dari struktur Junction Field-Effect Transistor (JFET) dapat di uraikan sebgai berikut.
Dibuat saluran tipis dari sumber (source) S ke saluran/pembuangan (drain) D.
Sekeliling saluran (channel) berupa sambungan p-n dengan panjar mundur pada daerah deplesi.
Lebar daerah deplesi akan bertambah jika tegangan sambungan dibuat lebih negatif.
Kemampuan saluran untuk menghantar (dalam hal ini saluran-n) tergantung lebarnya.
Lebar saluran dapat diubah-ubah dengan mengatur lebar daerah deplesi yaitu sepanjang sambungan panjar-mundur.
Lebar dari daerah deplesi atau kemampuan menghantar pada saluran dapat dikontrol dengan memberikan tegangan eksternal pada gerbang (gate) G.

Simbol Dan Kontruksi JFET

Arus yang mengalir pada saluran adalah berupa pembawa muatan yang bergerak (mobile), yaitu dalam hal ini berupa elektron. Perhatikan bahwa tanda panah pada simbol selalu mengarah ke material tipe-n; dengan demikian dapat dibuat juga jenis saluran-p. Dengan vDS > 0, ujung D akan positif terhadap S dan elektron akan mengalir dari S ke D atau muatan positif mengalir dari D ke S dan arus drain iD berharga positif.

Dengan vGS = 0 dan tegangan sangat rendah dikenakan pada D, arus yang mengalir akan berbanding lurus dengan besarnya tegangan vDS. Gambar dibawah memperlihatkan besarnya resistansi Δv/Δi = 0,05/0,0002 = 250Ω. Jika tegangan G-S berubah menjadi -2 V, daerah deplesi akan melebar, saluran akan menyempit, dan resistansi menjadi Δv/Δi = 0,05 / 0,0001 = 500Ω. Kita melihat bahwa untuk suatu harga tegangan D-S, besarnya saluran arus dapat dikontrol melalui tegangan luar. Untuk arus yang mengalir dari D ke S, harus positif; untuk memberi panjar mundur sambungan p-n harus negatif.

Gambar dibawah memperlihatkan karakteristik JFET untuk vDS berharga rendah.

Karakteristek Depletion Junction Field-Effect Transistor JFET

Pada tegangan yang lebih tinggi, karakteristik diperumit oleh adanya ketidak simetrian daerah deplesi. S akan lebih positif terhadap G dan D akan lebih positif terhadap S. Karenanya dekat ujung D dan saluran menjadi paling positif terhadap G, panjar mundur menjadi terbesar, dan daerah deplesi menjadi paling lebar. Dengan menurunnya vDS, panjar mundur meninggi sampai kedua daerah deplesi hampir bertemu, terdapat kecenderungan untuk mencomot (“pinch-off”) saluran konduksi. Pada gambar diatas, tegangan pinch-off vp untuk = 0 vGS adalah sekitar 5 V. Di atas pinch-off , kenaikan vDS akan menurunkan lebar saluran, membuat “offset” kenaikan kerapatan arus akibat kenaikan tegangan D-S, dan kurva iD akan menjadi datar.

Karena tegangan saluran-G menentukan lebar lapisan deplesi, dengan adanya tegangan negatif yang dikenakan pada G, pinch-off terjadi tegangan D-S yang rendah dan arus D berharga rendah. Perhatikan bahwa untuk vGS = 0 pada gambar diatas, harga vDS ≡ 5V memberikan tegangan saluran-G sebesar 5 V dan pinch-off terjadi; jika vGS = -4V, pinch-off terjadi pada vDS ≡ 2V dimana tegangan saluran-G sama dengan Vp. Di atas pinch-off kurva arus relatif datar sampai tegangan G-D mencapai suatu harga terjadinya patahan avalanche. Bagian kurva karakteristik i-v dimana iD hampir tidak tergantung pada vDS disebut “arus-tetap” atau “daerah jenuh” (saturation region).

Teknik Elektronika dan Radio Komunikasi

Iklan feed

Populer

Cara Mengukur Trafo dengan Multitester Analog / Digital

Rangkaian Lampu TL Tanpa Trafo Ballast

Apa Itu Ballast Lampu, Fungsi dan Tipenya